Отличный уровень производительности для наиболее требовательных решений Твердотельные накопители Transcend MTE110S выполнены в форм-факторе M.2, оснащены интерфейсом PCIe Gen3 x4 и соответствуют всем требованиям стандарта NVMe 1.3, позволяющем использовать для одновременной передачи и приема данных четыре линии, что суммарно обеспечивает пропускную способность до 1 700 МБ/с при чтении и 1 500 МБ/с при записи.
3D-технологии раздвигают пределы возможного В отличие от прежних, плоских по своей структуре микросхем NAND, ячейки флэш-чипы 3D NAND располагаются в нескольких плоскостях и могут находиться одна над другой. Технология 3D NAND призвана преодолеть существующие ограничения плотности размещения ячеек флэш-памяти, а также повысить уровень производительности и долговечности этого типа памяти.
Долговечность и высокая надежность Твердотельные накопители Transcend MTE110S поддерживают эффективный алгоритм выявления и исправления ошибок ECC, LDPC (Low-Density Parity Check), которые помогают обеспечить надежность хранения вашей информации. Изготовленные на основе высококачественных микросхем флэш-памяти NAND TLC и оснащенные механизмами динамического регулирования производительности для предотвращения перегрева, накопители MTE110S отличаются долговечностью и высокой надежностью.
Дополнительные изображения:
Вид накопителя
Внутренний
Форм-фактор
M.2
Объем памяти
1000 ГБ
Интерфейс
M.2
Тип чипов
TLC
Дополнительные возможности
TRIM Хост контроллер: NVMe (Non-Volatile Memory Express)
(068) 144-20-23
Отличный уровень производительности для наиболее требовательных решений;)
Вернуться ;)
;)
;)
;)
